برند

برند

سامسونگ - SAMSUNG

سامسونگ
مشخصات فنی
ظرفیت
500 گیگابایت
نوع رابط SATA 6 Gb/s
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی 97,000IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی 88,000IOPS
کنترل کننده
Samsung MGX
مقاومت در برابر ضربه
دارد
مقاومت در برابر لرزش
دارد
مقاومت در مقابل خش
دارد
مقاومت در برابر شوک
دارد
میزان مقاومت شوک 1500G/0.5ms
میانگین عمر - MTBF 1.500.000 ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM
دارد
دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد
دمای ذخیره سازی 40- تا 85 درجه سانتیگراد
مصرف برق (2.3W/2.5W (Read/Write
ابعاد 6.8 * 70.1 * 100 ميليمتر
وزن
54.4 گرم
فرم فاکتور 2.5 اینچ
نوع فلش NAND Flash
مزایا مقاوم در برابر شوک
رمزگذاری 256 بیتی AES
قابلیت پشتیبانی از TRIM
دارای تراشه‌های 3D V-NAND سامسونگ
دارای 256 مگابایت حافظه رم از نوع DDR3
سرعت خواندن اطلاعات 540 مگابایت بر ثانیه

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “حافظه اس اس دی سامسونگ 750 EVO 500GB”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *